本文目录

• 浅谈多核心CPU和SoC芯片及其工作原理
• 谁有电脑CPU的横截面的放大图(放大千倍、万倍的)，让我们看看CPU的内部到底是什么样的
• 为什么有人说CPU是人造物的巅峰你知道吗
• 始终搞不懂为什么CPU能计算
• 电脑的cpu是怎么制作的
• CPU里有几十亿个晶体管，这些晶体管有什么作用
• 给我说一下CPU的“进化“史!
• CPU的晶体管怎么作出来的
• 生产一颗CPU芯片需要多少水

浅谈多核心CPU和SoC芯片及其工作原理

姓名：吕红霞；学号：20011210203；学院：通信工程学院 转自

谁有电脑CPU的横截面的放大图(放大千倍、万倍的)，让我们看看CPU的内部到底是什么样的

里面是晶体管，现在32nm制程的晶体管就算给你放大100000倍，也才3毫米你能看见啥。

为什么有人说CPU是人造物的巅峰你知道吗

CPU之所以被称为人类创造的巅峰，是因为生产CPU的高端光刻机无法在世界上任何国家单独制造。它是结合世界上许多国家最先进的技术成果制造的高端光刻机。它的高科技水平与地球产品完全不同。

CPU的制作过程极为繁琐。

CPU生产主要包括硅熔化、提纯、单晶硅制备、硅芯片、磨片、光刻胶应用、紫外线曝光、部分光刻胶溶解、雕刻、光刻胶去除、离子注入、光刻胶再去除、，绝缘层处理、铜层沉淀、晶体管之间的连接电路构造、晶圆级测试、晶圆芯片、外观检查、芯片加载和封装，等级测试过程繁重，以上所有的步骤对于清洁程度要求都是非常高的，要保证每一步都干净。

芯片的制造原理。

CPU芯片越小，单位面积内可容纳的晶体管越多，以实现更多功能并降低功耗。使用波长较短的光源是最直接的介质。芯片设计完成后，将被制成多层掩模。然后让光线通过掩模照射到晶圆上，并被掩模上的电路图挡住。找不到光的部分将被留下。光照空部件的光敏材料将被化学腐蚀反应分解，电路将被刻在晶圆上。

光刻机有多先进？

EUV光刻系统使用极紫光作为光源，有10万件、4万个螺钉、3000根电线和2公里长的软管。大部分部件都是全人类智慧的产物，如美国的格栅、德国的透镜、瑞典的轴承、法国的阀门等。所以EUV光刻机的造价高达1亿美元，重量180吨。每次运输使用40个集装箱和20辆卡车。每次运输需要三艘货轮，安装和调试也需要一年时间。因此，ASML和EUV光刻机的最大年产量仅为30台。

始终搞不懂为什么CPU能计算

在了解CPU工作原理之前，我们先简单谈谈CPU是如何生产出来的。CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。因此，从这个意义上说，CPU正是由晶体管组合而成的。简单而言，晶体管就是微型电子开关，它们是构建CPU的基石，你可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态:ON(开)和OFF(关)。这一开一关就相当于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应！这样，计算机就具备了处理信息的能力。 　　但你不要以为，只有简单的“0”和“1”两种状态的晶体管的原理很简单，其实它们的发展是经过科学家们多年的辛苦研究得来的。在晶体管之前，计算机依靠速度缓慢、低效率的真空电子管和机械开关来处理信息。后来，科研人员把两个晶体管放置到一个硅晶体中，这样便创作出第一个集成电路，再后来才有了微处理器。 　　看到这里，你一定想知道，晶体管是如何利用“0”和“1”这两种电子信号来执行指令和处理数据的呢？其实，所有电子设备都有自己的电路和开关，电子在电路中流动或断开，完全由开关来控制，如果你将开关设置为OFF，电子将停止流动，如果你再将其设置为ON，电子又会继续流动。晶体管的这种ON与OFF的切换只由电子信号控制，我们可以将晶体管称之为二进制设备。这样，晶体管的ON状态用“1”来表示，而OFF状态则用“0”来表示，就可以组成最简单的二进制数。众多晶体管产生的多个“1”与“0”的特殊次序和模式能代表不同的情况，将其定义为字母、数字、颜色和图形。举个例子，十进位中的1在二进位模式时也是“1”，2在二进位模式时是“10”，3是“11”，4是“100”，5是“101”，6是“110”等等，依此类推，这就组成了计算机工作采用的二进制语言和数据。成组的晶体管联合起来可以存储数值，也可以进行逻辑运算和数字运算。加上石英时钟的控制，晶体管组就像一部复杂的机器那样同步地执行它们的功能。

电脑的cpu是怎么制作的

1、 硅提纯

生产CPU等芯片的材料是半导体，主要的材料为硅Si，在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。

2、切割晶圆

硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。

切割晶圆用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。

3、影印（Photolithography）

在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。

而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。

4、蚀刻(Etching)

蚀刻使用的波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。

然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。

5、重复、分层

为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。

Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。

6、封装

这时的CPU为一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。

7、多次测试

测试为一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。

由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。

每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。

最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。

当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

扩展资料

CPU控制技术的主要形式

1、选择控制。集中处理模式的操作，是建立在具体程序指令的基础上实施，以此满足计算机使用者的需求，CPU 在操作过程中可以根据实际情况进行选择，满足用户的数据流程需求。 指令控制技术发挥的重要作用。根据用户的需求来拟定运算方式，使数据指令动作的有序制定得到良好维持。

CPU在执行当中，程序各指令的实施是按照顺利完成，只有使其遵循一定顺序，才能保证计算机使用效果。CPU 主要是展开数据集自动化处理，其 是实现集中控制的关键，其核心就是指令控制操作。

2、插入控制。CPU 对于操作控制信号的产生，主要是通过指令的功能来实现的，通过将指令发给相应部件，达到控制这些部件的目的。实现一条指令功能，主要是通过计算机中的部件执行一序列的操作来完成。较多的小控制元件是构建集中处理模式的关键，目的是为了更好的完成CPU数据处理操作。

3、时间控制。将时间定时应用于各种操作中，就是所谓的时间控制。在执行某一指令时，应当在规定的时间内完成，CPU的指令是从高速缓冲存储器或存储器中取出，之后再进行指令译码操作，主要是在指令寄存器中实施，在这个过程中，需要注意严格控制程序时间。

参考资料来源：百度百科-中央处理器

参考资料来源：百度百科-CPU制造工艺

CPU里有几十亿个晶体管，这些晶体管有什么作用

20亿晶体管是如何集成在一个小小的芯片上，而又是如何工作的？让我们一起来研究。

首先CPU在13年的时候就已经可以集成20亿个晶体管，当然作为中央处理器CPU芯片中还包涵其他各种各样的器件例如三极管，二极管，晶闸管，MOSFFET,IGBT等，这些都是CPU内部集成的芯片，CPU的安装无疑是一层层进行焊接的，

利用非常高的机器将纳米级别的晶体管进行架构式的安装，CPU内核心的也是一块半导体晶圆，通过半导体蚀刻工艺在晶圆上生成众多的晶体管单位，再通过微点焊金丝的方式将各个引脚电路引出至芯片封装的管脚，最后进行封装，每一步都是非常精密的，这些过程都是机械来做。

晶体管就是微型电子电子开关，它们是构建CPU的基石，你可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态：ON（开）和OFF（关）。这一开一关就相等于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应！这样，计算机就具备了处理信息的能力。 

几乎所有计算机都包含一些ROM（可以创建一个不包含RAM的简单计算机 - 许多微控制器通过在处理器芯片本身放置一些RAM字节来实现这一点 - 但通常无法创建一个不包含ROM）。在PC上，ROM称为BIOS（基本输入/输出系统）。当微处理器启动时，它开始执行它在BIOS中找到的指令。BIOS指令执行诸如测试机器中的硬件之类的操作，然后将其转到硬盘以获取引导扇区（请参阅硬盘的工作原理）详情）。这个引导扇区是另一个小程序，BIOS从磁盘读取后将其存储在RAM中。然后微处理器开始从RAM执行引导扇区的指令。引导扇区程序将告诉微处理器从硬盘中取出其他东西到RAM中，然后微处理器执行。

给我说一下CPU的“进化“史!

第一节 CPU 的历史 CPU 从最初发展至今已经有20 多年的历史了，这期间，按照其处理信息的字长，C PU 可以分为 4 位微处理器、8 位微处理器、16 位微处理器、32 位微处理器以及64 位微处理器等等。在风起云 涌的IT 业界，PC机CPU厂商主要以Intel、AMD和VIA(威盛)三家为主，我们将以他们的产品为介绍重点。 一、Intel 阵营 Intel(英特尔)公司大家已经是如雷贯耳，不管你是否为计算机高手，也不管你是否是业内人士，只要你知道计算机这个词，对Intel就一定不会陌生。Intel是全世界硬件行业的老大，是世界上最大的芯片生产商和制造商。提到Intel公司就不能不谈谈Intel CPU芯片的发展历程。按照国际上目前比较能够得到业内认同的说法，Intel的CPU芯片主要经历了以下几个发展阶段: 1 .Intel4004 1971年，Intel公司推出了世界上第一款微处理器4004。这是第一个用于个人计算机的4位微处理器，它包含2 3 00 个晶体管，由于性能很差，市场反应冷淡。 2 .Intel 8080/8085 在4004之后，Intel公司又研制出了8080 处理器和8085处理器，加上当时美国Motorola公司的MC6800 微处理器和Zilog 公司的Z80 微处理器，一起组成了8位微处理器家族。 3 .Intel8086/8088 16微处理器的典型产品是Intel公司的8086微处理器，以及同时生产出的数学协处理器，即8087 。这两种芯片使用互 相兼容的指令集，但在8087指令集中增加了一些专门用于对 数、指数和三角函数等数学计算的指令。由于这些指令应用于8086和8087，因此被人们统称为x86指令集。此后Intel推出新一代CPU 产品均兼容原来的x 86 指令集。 1979年Intel公司推出了8086的简化版——8088芯片，它仍是16位微处理器，内含29000个晶体管，时钟频率为4.77MHz，地址总线为20位，可以使用1MB内存。8088的内部数据总线是16位，外部数据总线是8位。1981年，8088芯片被首次用于IBMPC机当中，开创了个人电 脑的新时代。如果说8080处理器还不为大多数人所熟知的话，那么8088则可以说是家喻户晓了，PC(个人电脑)机的第一代CPU 便是从它开始的。 4 .Intel 80286 1982 年的Intel 80286 虽然是16位芯片，但是其内部已包含了13.4 万个晶体管，时钟频率也到了前所未有的20MHz 。其内、外部数据总线均为16位，地址总线为24 位，可以使用16MB 内存，工作方式包括实模式和保护模式两种。 5 .Intel 80386 DX/80386 SX 32 位微处理器的代表产品首推Intel公司1985 年推出的80386，这是一种全32位微处理器芯片，也是x86家族中第一款32位芯片，其内部包含了27.5万个晶体管，时钟频率为12.5MHz，后逐步提高到33MHz。80386的内部和外部数据总线都是32位，地址总线也是32位，可以寻址到4GB内存。它除了具有 实模式和保护模式以外，还增加了一种虚拟3 86 的工作方式，可 以通过同时模拟多个8 0 86 处理器来提供多任务能力。 1989 年，I n t el 公司又推出准32 位处理器芯片8 0 3 8 6 SX 。它 的内部数据总线为32 位，与8 0 3 86 相同，外部数据总线为16 位。 也就是说，8 0 3 8 6 SX 的内部处理速度与8 0 3 86 接近，也支持真正 的多任务操作，并且可以使用为8 0 2 86 开发的输入/输出接口芯片。8 0 3 8 6 SX 的性能优于8 0 2 86，而价格只及8 0 3 86 的1/3 。386 处理器没有内置数学协处理器，因 此不能执行浮点运算指令，如果需要进行浮点运算，必须额外购买昂贵的8 0 3 87 数学协处理器。 6 .I n t e l 8 0 4 8 6 D X /8 0 4 8 6 SX 1989 年，8 0 4 86 处理器面市，它集成了125 万个晶体管，时 钟频率由25MHz 逐步提升到33MHz 、4 0 M Hz 和50MHz 。80486 内含 80386 和数字协处理器80387 以及一个8KB 的高速缓存，并在x 86 系列中首次使用了RISC(精简指令集)技术，可以在一个时钟周期 内执行一条指令。它还采用了突发总线方式，大大提高了与内 存的数据交换速度。由于这些改进，8 0 4 86 的性能比带有8 0 3 87 数学协处理器的8 0 3 86 提高了4 倍。 早期的486理器分为有数学协处理器的486DX 和无数学协处 理器的4 8 6 SX 两种，其价格也相差许多。随着芯片技术的不断发，C PU 的频率越来越快，而PC 机外部设备受工艺限制，能够 承受的工作频率有限，这就阻碍了CPU 主频的进一步提高，在这种情况下，出现了C PU 倍频技术，该技术使C PU 内部工作频率为处理器外频的2 ～3 倍，4 8 6 D X2 、 4 8 6 D X4 的名字便是由此而来。以后的日子里，C PU 开始了突飞猛进的发展。 7 .I n t e l P e n t i u m C l a s s i c(经典奔腾) 代号:P54C 发布时间:1993 年 核心频率:60 ～200MHz 总线频率:50 ～66MHz 工作电压:3.3V 制造工艺:0.8 ～0.35 μm 晶体管数目:310 ～330 万个 芯片面积:191mm 2 缓存容量:16KB L1 Cache 指令内置:x 86 指令集、x 86 译码器、80 位浮点单元 接口类型:Socket 7 早期的Pentium 处理器(主要是Pentium 60 和Pentium 66)存在浮点运算错误的问题，Intel 为此 花4 亿美元回收了大批有问题的CPU，这在当时是十分冒险的行为，但Intel 的这一做法最终赢得了用 户的信任，P e n t i um 再度成为市场上最畅销的产品。8 .I n t e l P e n t i u m P r o(高能奔腾) 代号:P6 发布时间:1995 年 核心频率:150 ～200MHz 总线频率:60 ～66MHz 工作电压:3.1V/3.3V 制造工艺:0.5 ～0.35 μm 晶体管数目:550 ～700 万个 芯片面积:196mm 2 缓存容量:16KB L1 Cache 、256KB/512KB/1MB L2 Cache 指令内置:x 86 指令集、x 86 译码器、80 位浮点单元、分支预测功能 接口类型:Socket 8 9 .I n t e l P e n t i u m M MX 代号:P55C 发布时间:1997 年 核心频率:166 ～233MHz 总线频率:60 ～66MHz 内核电压:2.8V I/O 电压:3.3V 制造工艺:0.35 μm 晶体管数目:450 万个 芯片面积:128mm 2 缓存容量:32KB L1 Cache 指令内置:x 86 指令集、x 86 译码器、80 位浮点单元、M MX 多媒体指令集 接口类型:Socket 7 P e n t i u m M MX 有1 6 KB 数据缓存、 1 6 KB 指令缓存和4 路写缓存，并增加了 从Pentium Pro 而来的分支预测单元和从 Cyrix 6x86 而来的返回堆栈技术。新增 的57 条M MX 指令用来处理音频、视频和图像数据，使C PU 在多媒体应用上的能 力大大增强。 1 0 .I n t e l P e n t i u m Ⅱ 代号:K l a m a t h (1 9 97 年上市)、 Deschutes(1998 年上市) 核心频率:233 ～333MHz(66MHz 外频)、350 ～450MHz(100MHz 外频) 总线频率:66 ～100MHz 制造工艺:0.35(Klamath)/0.25(Deschutes)μm 核心电压:2.8V(Klamath)/2.0V(Deschutes) 晶体管数目:750 万个 芯片面积:130.9mm 2 缓存容量:32KB L1 Cache 、512KB L2 Cache 接口类型:Slot 1 Pentium Ⅱ是在Pentium Pro 的基础上将内置的L2 Cache 移出，与C PU 焊在同一块电路板上，然后封装成卡匣形式而 成。外置L 2 C a c he 的容量为5 1 2 KB，以C PU 速度的一半运行。 1 1 .I n t e l C e l e r o n(赛扬) 代号:Covington 发布时间:1998 年 核心频率:266 ～300MHz 总线频率:66MHz 制造工艺:0.25 μm 晶体管数目:750 万个 芯片面积:153.9mm 2 缓存容量:32KB L1 Cache 接口类型:Slot 1 1 2 .I n t e l C e l e r o n M e n d o c i n o(新赛扬) 代号:Mendocino 发布时间:1998 年 核心频率:300 ～533MHz 总线频率:66MHz 制造工艺:0.25 μm 晶体管数目:1900 万个 芯片面积:153.9mm 2 缓存容量:32KB L1 Cache 、128KB L2 Cache 接口类型:Slot 1 、Socket 370 由于具有和Pentium Ⅱ一样的核心，所以Celeron 的浮点能力依然强劲，在游戏和3D 图形处理方面与 P e n t i u m Ⅱ一样出色。但没有了L 2 C a c he，C e l e r on 的整数性能大打折扣，Celeron 266 的整数运算能力甚 至还不及Pentium MMX 233，在与K6-2 的争斗中一败 涂地。所以I n t el 又加入了1 2 8 KB 全速L 2 C a c he，此为新赛扬。 新赛扬只有128KB L2 Cache，虽然比 起P e n t i u m Ⅱ的5 1 2 KB 少得多，但其性能 并不比P e n t i u m Ⅱ差。因为新赛扬的缓存 速度与C PU 核心频率相同，而P e n t i u m Ⅱ 的缓存速度只有C PU 核心频率的一半。 正因为如此，新赛扬不但具有同频 P e n t i u m Ⅱ的高性能，并且具有很强的超 频能力，部分300MHz Celeron A 能超到令 人吃惊的5 0 4 M Hz 甚至更高。 1 3 .I n t e l P e n t i u m Ⅲ 代号:K a t m ai 、C o p p e r m i ne 发布时间:1999 年 核心频率:450MHz 以上 总线频率:100 ～133MHz CPU 核心电压:1.8V 制造工艺:0.25(Katmai)/0.18(Coppermine)μm 晶体管数目:950 万个 芯片面积:153.9mm 2 缓存容量:32KB L1 Cache 、512KB L2 Cache 指令内置:MMX 指令集和SSE 指令集 Pentium Ⅲ处理器增加了70 条SSE 指令，并具有惟一的处理 器序列号

CPU的晶体管怎么作出来的

光刻蚀 这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。 当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。 掺杂 在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。

生产一颗CPU芯片需要多少水

生产一个2克重的计算机芯片,需要32公斤水资源,也就是0.032吨水。在晶圆上烧刻电路图案需要用大量的超纯水冲洗,一个硅片需要3到4个月的时间才能加工为成品。

一项研究结论指出：“与硬件使用和能源消耗相比，芯片制造是碳排放的主要来源。”最先进的芯片制造商比一些传统的重污染行业的碳排放量更大。

在晶圆上烧刻电路图案需要用大量的超纯水冲洗，一个硅片需要3到4个月的时间才能加工为成品，每做出一批硅片都要消耗大量的电力和水，排出更多的温室气体。

台积电一年的耗水量在160亿到170亿吨之间。其耗水量差不多达到半个三峡大坝的总蓄水量。同时在芯片半导体的生产加工过程中，对于水质的要求越来越高。为了保证生产出超大规模的集成电路，除高纯原材料、高纯气体、高纯化学药品外，超纯水也是其中最关键的因素之一。