场效应晶体管(FET)是利用电场效应来控制晶体管的电流，是一种利用输入电压来控制输出电流的半导体器件。

场效应晶体管的工作原理为了保证N沟道结场效应晶体管的正常工作，在栅极和源极之间加一个负电压，保证反向电压由耗尽层承担，形成漏极电流。栅源间负电压越大，PN结界面形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏电流iD越小。相反，如果栅极和源极之间的负电压越小，耗尽区越薄，导电沟道越宽，沟道电阻越小，漏极电流iD越大。

场效应晶体管的使用场效应晶体管具有放大功能。

场效应晶体管可以方便地构成恒流源，使其保持恒定。

FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。

FET可以用作可变电阻。

场效应晶体管可以用作电子开关。文章综合自kiaic、eepw、csdn。

ymf

标签：晶体管电流效应